等離子體是化學(xué)物質(zhì)的第四態(tài)。根據(jù)超低溫等離子體放電的物理學(xué)/有機(jī)化學(xué)液相堆積(PVD/CVD)技術(shù)性,是現(xiàn)階段制取各種優(yōu)秀作用薄膜與安全防護(hù)涂層原材料的關(guān)鍵方式。大功率單脈沖射頻濺射(HiPIMS)做為一種新式PVD技術(shù)性,因其離化率高,且便于完成高密度、光潔、大規(guī)模勻稱的高品質(zhì)薄膜制取而備受關(guān)注。以往兩年來(lái),中科院寧波市原材料技術(shù)性與工程項(xiàng)目研究室的硅基薄膜原材料技術(shù)性精英團(tuán)隊(duì),緊緊圍繞HiPIMS涂層武器裝備研制、等離子體放電剖析、涂層運(yùn)用認(rèn)證等層面,進(jìn)行了認(rèn)真細(xì)致的科學(xué)研究。
最先,在中國(guó)科學(xué)院重特大武器裝備研制新項(xiàng)目的支助下,精英團(tuán)隊(duì)根據(jù)對(duì)HiPIMS磁控源控制模塊、開(kāi)關(guān)電源(與哈工大協(xié)作)、真空泵-水-電-供氣、PLC控制系統(tǒng)軟件等的可靠性設(shè)計(jì)與生產(chǎn)加工集成化,在中國(guó)較早研制出了獨(dú)立產(chǎn)權(quán)年限的大功率單脈沖射頻濺射復(fù)合型表層的鍍膜設(shè)備。該武器裝備等離子體放電平穩(wěn)、金屬材料離化率高、運(yùn)作靠譜。以金屬材料Cr為例子,HiPIMS的離化率達(dá)到50%(傳統(tǒng)式直流濺射<5%),等離子體相對(duì)密度為1.3×1019/m3(比直流濺射高3-4個(gè)量級(jí))。運(yùn)用該武器裝備,精英團(tuán)隊(duì)陸續(xù)進(jìn)行了HiPIMS制取非晶碳膜、MoS2潤(rùn)化薄膜、氮基硬質(zhì)的涂層的科學(xué)研究(App. Surf. Sci. 283(2013)321,Surf. Coat. Technol. 228(2013)275,J. Mater. Sci. Technol. 31(2015)1193),并將其擴(kuò)展運(yùn)用于硼基耐腐蝕涂層、MAX相空氣氧化安全防護(hù)涂層,產(chǎn)生了8項(xiàng)關(guān)鍵專利發(fā)明(201310026859.5,2013100264796.7,201710546704.2,201911080939.2,201911165864.8等)。
進(jìn)一步比照世界各國(guó)同行業(yè)的科學(xué)研究,精英團(tuán)隊(duì)發(fā)覺(jué)在具體運(yùn)用中,HiPIMS因直流電復(fù)合型單脈沖的大功率并不總是能得到金屬材料的高離化率(AIP Advances, 8(2018) 015132)。對(duì)于這一難題,精英團(tuán)隊(duì)創(chuàng)建了HiPIMS放電的標(biāo)值實(shí)體模型,融合探頭/光譜儀對(duì)等離子體原點(diǎn)確診,剖析了金屬材料類型、二次電子發(fā)送指數(shù)、磁控濺射產(chǎn)額、電離能對(duì)靶表層區(qū)水解全過(guò)程的危害(IEEE T Plasma Sci. 47 (2019) 1215),明確提出了HiPIMS單脈沖放電的四環(huán)節(jié)特點(diǎn)。關(guān)鍵的是,發(fā)覺(jué)在較高電壓的HiPIMS輝光放電全過(guò)程中,存有一切正常輝光向異常輝光的變化。這一結(jié)果表明,僅有HiPIMS放電進(jìn)到異常輝光區(qū),才可以具體得到金屬材料的高離化(Phys. Plasmas, 24 (2017) 083507)。并且,就算針對(duì)難水解的非金屬材料碳,管控脈沖寬度在異常輝光區(qū),也可以完成C的高離化率放電。
圖1 HiPIMS不具備本征高離化率,同樣標(biāo)準(zhǔn)下不一樣原素離化率差別明顯
圖2 HiPIMS單脈沖放電的四環(huán)節(jié)特點(diǎn)及其一切正常輝光向異常輝光的變化
圖3 以Cr為例子,隨單脈沖偏壓提升,分子相對(duì)密度減少但正離子相對(duì)密度提升
圖4 不一樣種類磁控濺射方式的堆積平面圖
除開(kāi)以上HiPIMS靶表層地區(qū)的放電特點(diǎn)了解,怎樣完成對(duì)近基材地區(qū)的等離子體定性分析(如活力顆粒類型、正離子相對(duì)密度、分子相對(duì)密度),則是危害涂層生長(zhǎng)發(fā)育的另一放電基本含義。盡管選用發(fā)送光譜分析儀(OES)可精確測(cè)量活力顆粒類型,郎格繆爾探頭可精確測(cè)量正離子相對(duì)密度,但基態(tài)原子相對(duì)密度的精確精確測(cè)量現(xiàn)階段十分艱難。因此,精英團(tuán)隊(duì)根據(jù)對(duì)發(fā)送光譜分析儀的更新改造,完成了近基材表層區(qū)2cm薄厚內(nèi)光發(fā)送數(shù)據(jù)信號(hào)的靠譜收集。并根據(jù)明確提出的HiPIMS磁控濺射聯(lián)級(jí)撞擊-輻射躍遷的調(diào)整實(shí)體模型,精確測(cè)算出了等離子體中的激發(fā)態(tài)金屬材料分子相對(duì)密度。發(fā)覺(jué)提升HiPIMS的單脈沖工作電壓,能合理減少堆積區(qū)域內(nèi)的金屬材料分子成分并明顯提升正離子成分,完成不一樣磁控濺射方式的變化,它是得到HiPIMS高離化率放電并從而完成涂層精細(xì)結(jié)構(gòu)管控的重要。有關(guān)成效最近發(fā)布于英國(guó)皇室物理會(huì)(IOP)集團(tuán)旗下的等離子體科學(xué)領(lǐng)域刊物上(Plasma Sources Science and Technology, 29 (2020) 015013)。
以上科學(xué)研究工作中獲得了自然科學(xué)基金(51875555,11705258)、中科院主導(dǎo)重點(diǎn)(XDA22010303)、中國(guó)科學(xué)院王寬誠(chéng)首先人才計(jì)劃、及湖州市2025重點(diǎn)(2018B10012)等新項(xiàng)目的支助。