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高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)技術特點_

高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)技術特點

發(fā)布時間:2021-07-08閱讀量:1577

       高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)是一種新起的薄膜濺鍍技術,可以在一瞬間造成的密度高的等離子體,合理地改進薄膜特性,對薄膜工業(yè)生產(chǎn)的發(fā)展趨勢有關鍵實際意義。
       根據(jù)鐵電薄膜的可自動調諧微波加熱部件,有希望在當代通信系統(tǒng)獲得關鍵運用而遭受普遍關心。本畢業(yè)論文從HiPIMS薄膜的沉積、鈦酸鍶鋇(BST)薄膜和變器皿的制取及其可自動調諧微波加熱元器件的設計方案三個層面開展科學研究。
       HiPIMS是在離子化物理學液相沉積技術的基本上,在一瞬間給予十分高的輸出功率轉化成密度高的等離子體,用于造成密度高的體沉積流,現(xiàn)階段關鍵運用于制取碳薄膜和各種各樣金屬材料薄膜。本畢業(yè)論文深入分析了HiPIMS技術的工作中原理,討論了等離子體特點。
       選用HiPIMS技術取得成功地制取了氧化鋯陶瓷薄膜,并根據(jù)基礎理論和試驗科學研究了不一樣磁控濺射汽體占比、磁控濺射腔鼓勵電源額定功率和脈沖主要參數(shù)對薄膜品質的危害。
       研究發(fā)現(xiàn),挑選適合的氧氬比和推動脈沖pwm占空比,能夠造成較勻稱平穩(wěn)的等離子體。在夾層玻璃和氧化銦錫(ITO)-夾層玻璃襯底上制取的氧化鋯陶瓷薄膜,最少表面粗糙度各自只有1.1 nm和1.3 nm,其薄膜的透過度各自做到90%和84%之上。夾層玻璃襯底上薄膜的可帶指數(shù)貼近5.86 eV,ITO襯底上薄膜的電子光學可帶會遭受ITO的限定,僅為3.8 eV。纖薄氧化鋯陶瓷薄膜表明了好于84 10A/m的泄露電流特點。



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