離子鍍膜設(shè)備起源于20世紀(jì)60年代D.M.Mattox提出的理論，且在當(dāng)時(shí)開(kāi)始有了對(duì)應(yīng)的實(shí)驗(yàn)；直到1971年，Chamber等發(fā)表電子束離子鍍膜技術(shù)；而反應(yīng)蒸鍍（ARE）技術(shù)則是在1972年的Bunshah報(bào)告所指出，此時(shí)產(chǎn)生了TiC及TiN等超硬質(zhì)的薄膜類型；同樣是在1972年，Smith和Moley在鍍膜工藝中采用了空心陰極技術(shù)。到了20世紀(jì)80年代，我國(guó)離子鍍終于達(dá)到工業(yè)應(yīng)用的水準(zhǔn)，相繼出現(xiàn)了真空多弧離子鍍及電弧放電型離子鍍等鍍膜工藝。
離子鍍的整個(gè)工作過(guò)程是：首先先將真空室抽真空，待至真空環(huán)境壓力抽至4X10?3Pa之上，需要把高壓電源接通，在基材與蒸發(fā)器間構(gòu)建一個(gè)低壓放電氣體的等離子低溫區(qū)域。用5000V直流負(fù)高壓連接基材電極，從而形成陰極的輝光放電。惰性氣體離子是在負(fù)輝光區(qū)附近產(chǎn)生的，其進(jìn)入陰極暗區(qū)被電場(chǎng)加速并對(duì)基材表面進(jìn)行轟擊，這是一個(gè)清洗過(guò)程，之后就進(jìn)入鍍膜過(guò)程，通過(guò)轟擊加熱的作用，氣化一些鍍料，等離子區(qū)內(nèi)進(jìn)入原子，與電子及惰性氣體離子產(chǎn)生碰撞，也有少部分發(fā)生離化，對(duì)于這些離化后的離子擁有高能量會(huì)對(duì)薄膜表面進(jìn)行轟擊，一定程度上會(huì)改善膜層質(zhì)量。
離子鍍的原理是：在真空室中，利用氣體的放電現(xiàn)象或蒸發(fā)物質(zhì)的離化部分，在蒸發(fā)物質(zhì)離子或氣體離子的轟擊作用下，同時(shí)沉積這些蒸發(fā)物或其反應(yīng)物在基材上得到薄膜。
?離子鍍膜設(shè)備把真空蒸發(fā)、等離子體技術(shù)與氣體輝光放電這三項(xiàng)技術(shù)結(jié)合起來(lái)，不單是使膜層質(zhì)量明顯改進(jìn)了，而且還讓薄膜應(yīng)用范圍擴(kuò)大了。該工藝的優(yōu)點(diǎn)是繞射性強(qiáng)、薄膜附著力好、可鍍膜材多樣等。離子鍍?cè)硎怯蒁.M.Mattox首次提出的，離子鍍有很多種類，較為常見(jiàn)的是蒸發(fā)加熱方式這一類，有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱等各種加熱方式的離子鍍膜裝置。
