1958年，美國通用電氣公司研發(fā)了第一個工業(yè)級的一般可控硅，極大地拓展了半導體材料器件輸出功率操縱的范疇，進而使電磁能的轉換和操縱從轉動的變流器發(fā)電機組、靜止不動的正離子并網(wǎng)逆變器進到到以電力工程半導體材料器件組成的變流器時期，它意味著電力電子技術時期的來臨?？煽毓铓w屬于半控型的器件，不可以自關閉，它歸屬于第一代電力電子技術器件。因為電力電子技術器件具備體型小、功能損耗低、響應時間快等特性，因此自它問世至今就得到 了迅速的發(fā)展趨勢。發(fā)生了小輸出功率的可關閉可控硅(GTO)歸屬于全控型器件，它和電力工程晶體三極管(GTR)、電子器件場晶體三極管(MOSFET )等，被稱作第二代電力電子技術器件。20新世紀80時代中后期，發(fā)生了以絕緣層柵壓雙極型晶體三極管(IGBT)為意味著的復合性器件，它是用MOSFET推動雙極型晶體三極管，兼具MOSFET的高輸入電阻和GTR的低導通特性阻抗與一身，被覺得是最有發(fā)展前途的第三代電力電子技術器件。與此同時數(shù)據(jù)控制系統(tǒng)也獲得快速發(fā)展趨勢，電力技術與控制系統(tǒng)的融合推動了電源的發(fā)展趨勢，相對性于計算機控制，仿真模擬操縱有下列缺陷:
1、仿真模擬控制回路的元器件較多，微弧氧化電源容積很大。
2、協(xié)調能力不足，一旦電路原理進行，控制方法就沒法變更。
3、最關鍵的是，微弧氧化電源不有利于調節(jié)，主要參數(shù)不一致，因為所應用的器件分別的特點差別、主要參數(shù)不一致，導致各電源中間存有很大的特點差別，微弧氧化電源的一致性不太好。較為下選用微處理器、DSPCPU的電源，操縱便捷靈便。能夠很便捷運用改變系統(tǒng)而更改控制方法。與此同時微弧氧化電源高精度，很多的降低了操縱器件，使微弧氧化電源容積大幅減少。數(shù)字電路設計的可靠性好，因此那樣也就提升了微弧氧化電源的可靠性和一致性。
